KRI 离子束产品介绍 栅格离子源(Gridded Ion Sources)

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关键词: 栅格离子源

摘要

KRI 栅格离子源(Gridded Ion Sources)含 KDC 直流考夫曼型 与 RFICP 射频型 两大系列,凭借 自对准离子光学 技术,调控 100–1200 eV 离子能量 与 10 mA–1000 mA + 宽束流 。KDC 系列(10/40/75/100/160)覆盖桌面研发到 300mm 晶圆产线,RFICP 系列免灯丝设计提升稳定性;支持 Ar、O₂等多气体,集成电源、中和器,快速适配真空镀膜、刻蚀、材料改性等工艺,为半导体、光学、MEMS 领域提供 纳米级离子束解决方案 。


产品介绍

KRI 离子束产品介绍

栅格离子源Gridded Ion Sources





栅格离子源

核心特点

OptiBeam™ 自对准光学系统

可控中和

等离子体放电

模块化架构

适用于惰性、反应性和有机气体

可产生准直、发散和会聚光束

相关公式

平均自由程(目标温度 = 入射温度):\lambda=1/\sqrt{2}nQ

平均自由程(目标温度 = 0):\lambda=1/nQ

路径长度分布:I=I_0\exp(-x/\lambda)

德拜长度:\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}

玻尔兹曼方程:n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)

蔡尔德定律:j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)

玻姆电导率:\sigma_B\approx en_e/16

温度 - 能量等价:1\ \text{ev}=11600\ \text{K}

麦克斯韦平均速度:\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}

应用领域

离子束辅助沉积

原位衬底预清洁

离子束溅射沉积

表面改性

离子束刻蚀

离子束成形

表面抛光与平滑

离子束微调与调谐

栅格系列产品 RFICP 系列

栅格离子源

栅格离子源


KDC 系列


栅格离子源


取决于离子光学系统 ** 可提供其他中和器

栅格离子源优势

低成本

工业级

远程等离子体

定向光束

光束成形

精确控制(离子电流、离子能量)

自对准离子光学系统

适用于惰性和反应性气体

离子能量范围大

离子电流密度高

可产生准直、发散和聚焦光束

无栅格离子与等离子体源(Gridless Ion & Plasma Sources

核心特点

无栅格设计

适用于惰性和反应性气体

优化配置

模块化阳极

低能离子

高离子电流

大工艺区域

相关公式

平均自由程(目标温度 = 入射温度):\lambda=1/\sqrt{2}nQ

平均自由程(目标温度 = 0):\lambda=1/nQ

路径长度分布:I=I_0\exp(-x/\lambda)

德拜长度:\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}

玻尔兹曼方程:n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)

蔡尔德定律:j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)

玻姆电导率:\sigma_B\approx en_e/16

温度 - 能量等价:1\ \text{ev}=11600\ \text{K}

麦克斯韦平均速度:\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}

应用领域

离子束辅助沉积(IBAD

原位衬底预清洁

直接沉积涂层

表面改性

低能离子束刻蚀

偏压靶离子束沉积

eH 系列产品


栅格离子源


注:F = 灯丝;HC = 空心阴极;xO_2= 针对氧气电流优化


线性源(eHL-X 线性配置)

线性 eHL-X 离子 / 等离子体束源适用于安装在线性移动衬底,如在线、卷对卷涂层和旋转溅射系统。典型应用包括原位清洁和离子辅助沉积,其中低能量和高电流是有利的。

优化均匀性

优化离子电流剂量

最小化长度

用户可调节

整体选项

模块化线性配置具有独特的优化能力。它使用标准圆柱形端霍尔模块放置在线性阵列中。模块的间距和数量为应用提供了强大的优势。可以调整模块的间距以优化电流密度剂量、均匀性和整体长度。由于这种配置使用一个电子源和一个公共电源,集成模块化线性封装的成本被最小

电源

所有 KRI 电源均采用先进的初级开关电源模块,具有输出控制功能,以保护电源和负载。通过更换或添加模块,可以轻松实现从基本配置到高级配置的升级。根据型号的不同,电源提供交流或直流信号,输出功率范围为 300 4000W

具有快速更换电源模块的模块化架构

可靠的电源模块,专为工业用途设计

通过保护电路进行短路和电弧管理

在整个工作范围内恒定且稳定的离子束参数控制

可选择适合应用的操作模式

公司简介

1978 年以来,Kaufman & RobinsonKRI)公司一直为真空处理领域的制造商和研究人员设计和制造宽束离子源。栅格离子束产品和 eH 离子 / 等离子体束产品的设计均基于公司在等离子体物理、离子源设计和电源控制工程方面的世界公认专业知识。

目前,KRI 在离子束和等离子体技术方面拥有超过 20 项有效专利,包括其在多孔径离子光学技术和无栅格端霍尔技术方面的创新设计。

KRI 的产品包括宽束栅格离子源、宽束端霍尔离子源以及自动化电源控制器。所有设计都简单直观,可轻松改装到现有真空系统中,或轻松集成到新的 OEM 系统中。

(注:文档部分内容可能由 AI 生成)


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栅格离子源

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